Samsung presenta nuevos módulos de memoria 3D

Esta mañana Samsung anunció el lanzamiento de un nuevo modulo de memoria DIMM de 8GB que coloca los chips de memoria uno sobre el otro, lo que permite incrementar la densidad de memoria en un 50% frente a la tecnología DIMM actual.

Esta nueva tecnología, presentada como RDIMM, esta basada en los circuitos Green DDR3 DRAM y 40 nm actuales, y tiene como objetivo los mercados de servidores y almacenamiento masivo.

Durante el lanzamiento Samsung indico que el nuevo proceso TSV (through silicon via) permite ahorrar hasta un 40% de consumo. Utilizar esta tecnología permitirá mejorar considerablemente la densidad de chips en la nueva generación de sistemas de servidores y equipos de alta performance.

La tecnología TSV crea pequeños agujeros a través del chip de forma vertical en lugar de solo horizontal, creando una arquitectura más densa, lo que permitirá aplicarla a otros tipos de circuitos.

El nuevo modulo RDIMM ha sido probad con éxito por algunos de los socios más importantes de Samsung, lo que asegura su utilización en gran parte del mercado.

Hasta el momento Samsung no ha ofrecido detalles sobre una posible fecha de lanzamiento o precio, pero posiblemente sea en la segunda mitad del 2011.